本研究室の木村昭夫准教授を中心とする研究グループが、広島大学放射光科学研究センターで高分解能な角度分解光電子分光実験、スピン角度分解光電子分光実験を用いてGe化合物 GeBi₂Te₄ の表面の電子状態がヘリカルスピン構造を持つこと、表面状態が約180meVのエネルギーギャプ中に存在することを発見しました。この結果から、将来この特殊な電子を用いた次世代の超低消費・高速デバイスの実現が期待されます。
　本研成果は、米国の科学雑誌フィジカル・レビュー・B『Physical Review B』に掲載されました。

Physical Review B
原著論文　：K. Okamoto et al., Phys. Rev. B. 86, 195304 (2012)